Особливості ВАХ кристалів n-CdSb при різних рівнях інтенсивності освітлення

Abstract

Досліджено вольт-амперні залежності (ВАХ) кристалів антимоніду кадмію, легованих телуром (n-CdSb<Te>). Виявлено специфічні зміни ВАХ при різних рівнях інтенсивності освітлення. Із аналізу S-подібних ВАХ встановлено значення параметрів величин, які є важливими при розробці керованих сенсорних пристроїв напівпровідникової електроніки

Keywords (in English)
n-CdSb crystals
I-V characteristics
Author (co-authors)
First name Last name Institutional affiliation E-mail Phone number ORCID ID Institution address Author contribution(s) Institutional affiliation
Юрій
Коваль
fedosov.serhiy@gmail.com
0000-0002-4570-8024
вул. Львівська, 75, Луцьк, 43018, Україна
Investigation
Луцький національний технічний університет
Дмитро
Захарчук
fedosov.serhiy@gmail.com
0000-0002-1988-5027
вул. Львівська, 75, Луцьк, 43018, Україна
Investigation
Луцький національний технічний університет
Леонід
Ящинський
fedosov.serhiy@gmail.com
0000-0003-3018-3904
вул. Львівська, 75, Луцьк, 43018, Україна
Investigation
Луцький національний технічний університет
Сергій
Федосов
fedosov.serhiy@gmail.com
0000-0003-3457-8911
вул. Львівська, 75, Луцьк, 43018, Україна
Investigation
Луцький національний технічний університет
Manuscript file
osoblivosti-vakh-kristaliv-n-cdsb-pri-riznikh-rivnyakh-intensivnosti-osvitlennya.doc119.5 KB