Abstract
Досліджено вольт-амперні залежності (ВАХ) кристалів антимоніду кадмію, легованих телуром (n-CdSb<Te>). Виявлено специфічні зміни ВАХ при різних рівнях інтенсивності освітлення. Із аналізу S-подібних ВАХ встановлено значення параметрів величин, які є важливими при розробці керованих сенсорних пристроїв напівпровідникової електроніки
Keywords (in English)
Manuscript file